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倍加福P+F防磁場(chǎng)干擾的接近開(kāi)關(guān)結構圖

簡(jiǎn)要描述:

倍加福P+F防磁場(chǎng)干擾的接近開(kāi)關(guān)結構圖
般特性
開(kāi)關(guān)功能常開(kāi) (NO)
輸出類(lèi)型NAMUR
額定工作距離60 mm
動(dòng)作距離10 ... 48,6 mm
輸出類(lèi)型2 線(xiàn)
安裝在非磁性金屬中齊平安裝

更新時(shí)間:2024-08-14
訪(fǎng)問(wèn)量:1172


倍加福P+F防磁場(chǎng)干擾的接近開(kāi)關(guān)結構圖
額定值
額定電壓    8,2 V (Ri 約 1 kΩ)
開(kāi)關(guān)頻率    0 ... 5000 Hz
電流消耗    
磁體檢測到    ≥ 2,5 mA
磁體未檢測到    ≤ 1 mA
開(kāi)關(guān)狀態(tài)指示    黃色 LED
機械特性
連接類(lèi)型    電纜 PVC , 2 m
導線(xiàn)截面積    0,34 mm2
外殼材料    不銹鋼 1.4404 / AISI 316L (V4A)
感應面    不銹鋼 1.4404 / AISI 316L (V4A)
防護等    IP66 / IP67
環(huán)境溫度    -25 ... 70 °C (-13 ... 158 °F)

倍加福P+F防磁場(chǎng)干擾的接近開(kāi)關(guān)結構圖
產(chǎn)品型號目錄
KFD2-UT2-EX1
NJ5-18GM-N  12xG1xxD
NJ30+U1+W036685
NJ30+U1+W
RL39-54/32/40A/82A/116 10-32VDC
NJ1.5-8GM-N吧
OBS4000-18GM60-E5
P+F 28個(gè) NBN15-30GM50-E2
NBN30-01-E2
NBN15-30GM50-E2-V1 帶插座
NBN5-F7-E0
NBB8-18GM50-E2-V1 帶插座
V1-W-5M-PVC
NCB4-12GM40-NO  2個(gè) NCN4-12GM35-NO
接近開(kāi)關(guān) NBN40-U1-E2
NBB15-U1-E2 現貨DC24V
接近開(kāi)關(guān) NBB20-U1-E2
VM58N-011AGROBN-1213
DVM58N-032AGROBN-1213
DVS58N-011AGROBN-0013
RHI58N-0BAK1R61N-00500
RVI58N-011K1R61N-00500
CBB8-18GS75-EO
V15S-G-10M-PUR
V19S-G-BK5M-PUR-U/ABG

在各類(lèi)開(kāi)關(guān)中,有一種對接近它物件有"感知"能力的元件--位移傳感器。利用位移傳感器對接近物體的敏感特性達到控制開(kāi)關(guān)通或斷的目的,這就是接近開(kāi)關(guān)。

當有物體移向接近開(kāi)關(guān),并接近到一定距離時(shí),位移傳感器才有"感知",開(kāi)關(guān)才會(huì )動(dòng)作。通常把這個(gè)距離叫"檢出距離"。但不同的接近開(kāi)關(guān)檢出距離也不同。

這種開(kāi)關(guān)有時(shí)也叫電感式接近開(kāi)關(guān)。它是利用導電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)接近開(kāi)關(guān)時(shí),使物體內部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用到接近開(kāi)關(guān),使開(kāi)關(guān)內部電路參數發(fā)生變化,由此識別出有無(wú)導電物體移近,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測的物體必須是導電體。

由電感線(xiàn)圈和電容及晶體管組成振蕩器,并產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng),當有金屬物體接近這一磁場(chǎng)時(shí)就會(huì )在金屬物體內產(chǎn)生渦流,從而導致振蕩停止,這種變化被后極放大處理后轉換成晶體管開(kāi)關(guān)信號輸出。

應用在各種機械設備上作位置檢測、計數信號拾取等。

有時(shí)被檢測驗物體是按一定的時(shí)間間隔,一個(gè)接一個(gè)地移向接近開(kāi)關(guān),又一個(gè)一個(gè)地離開(kāi),這樣不斷地重復。不同的接近開(kāi)關(guān),對檢測對象的響應能力是不同的。這種響應特性被稱(chēng)為"響應頻率"。


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